SC35VB160S-G
Comchip Technology · 封装:SCVB-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SCVB-5 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Comchip Technology · 封装:SCVB-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SCVB-5 封装。Comchip Technology · 封装:MBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 40 V、正向电压(Vf) 0.55 V、最大浪涌电流 40 A,采用 MBS-4 封装。Comchip Technology · 封装:MBS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 20 V、正向电压(Vf) 0.55 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C,采用 MBS-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:Screw Mount
采用 Screw Mount 封装。Vishay Semiconductors · 封装:MTP PressFit
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Press Fit Pins、正向电流(If) 100 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.51 V、最大浪涌电流 470 A,采用 MTP PressFit 封装。Diodes Incorporated · 封装:MBS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 0.93 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 40 C,采用 MBS-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SOPA-4 封装。Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge RectifierDiodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 0.96 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:TBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 75 A,采用 TBS 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:TBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 75 A,采用 TBS 封装。Bourns · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 380 V、正向电压(Vf) 950 mV、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 50 C,采用 TO-269AA-4 封装。Bourns · 封装:SMD-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 750 mV、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SMD-4 封装。Bourns · 封装:SMD-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 40 V、正向电压(Vf) 490 mV、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SMD-4 封装。Bourns · 封装:TO-269-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 190 V、正向电压(Vf) 950 mV、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C,采用 TO-269-4 封装。Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.94 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C。Bourns · 封装:SMD-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 920 mV、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SMD-4 封装。Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 60 V、正向电压(Vf) 0.5 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C。Vishay Semiconductors · 封装:$0.908
采用 $0.908 封装。Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.92 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。