GBJ5010-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBJ-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBJ5006-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBJ-4 封装。DBF310-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 110 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。RMB6S-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MBS-1-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MBS-1-4 封装。GBU25KH
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge，采用 GBU 封装。RDBF38-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DBF-4 封装。RDBF31-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DBF-4 封装。LBS10-13
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。RDBF310-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。DBF2510-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。MP358W-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MP-50W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 MP-50W-4 封装。UABF1510-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。DBF210-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。DBF1510U-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。RDBF2510-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。RDBF1510U-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。MSB08M-13
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。ABS210-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。MB10F-13
Diodes Incorporated · 封装：MBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.94 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBF-4 封装。ABS10A-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。