DTA144WM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.136、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DCX123JK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SC-74R-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-74R-6 封装。DDTC113ZE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDTA115TCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DDTA143ZE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。PEMH30,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。ADTC143ZUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、耗散功率（Pd） 330 mW，采用 SOT-323-3 封装。DDA142TU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。PDTD113EUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DDTC123TE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDTB122LU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTB113EC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。DDTB123EC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 39、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。DDTD122JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 47、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。KBP308G
Diodes Incorporated · 封装：KBP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP-4 封装。KBP308G-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A，采用 GBP-4 封装。RABF210-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。GBU4JL-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.9 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。MT3516A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MT-35A-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 400 A，采用 MT-35A-5 封装。MT5016A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MT-35A-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 500 A，采用 MT-35A-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。