DMA561090R
Panasonic · 封装：SMini5-F3-B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SMini5-F3-B 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DMC561000R
Panasonic · 封装：SMini5-F3-B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 0.5、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SMini5-F3-B 封装。EMF5T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 270、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V，采用 EMT-6 封装。DTC114TUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323 封装。DTA143ZUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。DTC114ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz。DTC123JUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。UMH11N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-363 封装。BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 512 BCR BCR512E6327XT E6327 SP000010844、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PBLS1501V,115
Nexperia · 封装：SS-Mini-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SS-Mini-6 封装。PDTC143ET,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTA114EM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。DDTA123TUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。NUS2401SNT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Triple、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 175 Ohms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 150、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74-6 封装。PDTA144TM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。PDTD113ZTVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。PDTA143XM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。PDTA123TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTB113ZU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。