RN2410T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN4990(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120, 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 US-6 封装。DDTD123YC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。RN2107MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。DDTC143ZCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。BCR521E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 521 BCR BCR521E6327XT E6327 SP000010845、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。DDTC114EUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-323-3 封装。SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-363-6 封装。DTC143ECAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。DTA114ECAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。DTC114EUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SC-85-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SC-85-3 封装。UMH3NFHATN
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-363-6 封装。DTC143XCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。DTC114YU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 SOT-323-3 封装。EMD22FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV, 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-563-6 封装。DTA114YCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。FJV3114RMTF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。FJY4006R
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-523F-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-523F-3 封装。FJX4003RTF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-323-3 封装。FJV3101RMTF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。