芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

RN2301(TE85L,F)

Toshiba · 封装：SC-70

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。

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RN1105MFV,L3F

Toshiba · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。

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RN1316(TE85L,F)

Toshiba · 封装：SC-70

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。

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RN2304(TE85L,F)

Toshiba · 封装：SC-70

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。

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RN1309(TE85L,F)

Toshiba · 封装：SC-70

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。

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RN1102MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。

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RN2118MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 50。

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RN1310(TE85L,F)

Toshiba · 封装：USM-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 USM-3 封装。

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RN4981(T5L,F,T)

Toshiba · 封装：USM-3

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30, 30，采用 USM-3 封装。

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RN2105MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。

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RN1107MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。

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RN2101MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。

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RN2104MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。

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RN2110MFV(TPL3)

Toshiba · 封装：SOT-723

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 400、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-723 封装。

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RN2404T5LFT

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。

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RN1407T5LFT

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。

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RN2407(T5L,F,T)

Toshiba · 封装：SOT-346-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。

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RN2402T5LFT

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。

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RN2401(T5L,F,T)

Toshiba · 封装：SOT-346-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。

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RN2102MFV(TPL3)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。