DTA114TE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-523 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTA124ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。DTA143ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。DTA114TCA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。DTA114TUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 250、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323 封装。DTA144ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。UMH11N REG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。DTC144TUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323 封装。DTA143ZCA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。DTC114TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 EMT-3 封装。EML20T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA。RN1303(TE85L,F)
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VESM-3 封装。RN1302TE85LF
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VESM-3 封装。RN2307(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN1306(TE85L,F)
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 USM-3 封装。RN2106MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。RN1104MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。RN1401T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。RN2308(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN1313(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。