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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

DDTA144WUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA122LE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTA144GUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA114TCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTA125TCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 200 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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UMG4N-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-353-5

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-353-5 封装。
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ADTA143ZUAQ-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、耗散功率（Pd） 330 mW，采用 SOT-323-3 封装。
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RN2905FE(TE85L,F)

Toshiba · 封装：US-6

该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468，采用 US-6 封装。
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PDTC143XUF

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。
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DCX114TK-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SC-74R-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74R-6 封装。
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DCX114EK-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SC-74R-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SC-74R-6 封装。
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DCX144EK-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SC-74R-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SC-74R-6 封装。
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DTC144TE-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523 封装。
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DTA143EE-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。
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DTC114YE-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。
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DTC123JCA-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80 at 10 mA, 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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