DDTA125TE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 200 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DDTC143FE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDTB123YU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTD114GU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 0 kOhms、典型电阻比 0、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-323-3 封装。DDTA122TU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTA144TUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTA115GCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DDTA114GCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。EMC3DXV5T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-553-5 封装。ADTC143TUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 330 mW，采用 SOT-323-3 封装。DDC143TH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。DCX142TH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-563-6 封装。DCX4710H-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1, 0.212、最小直流电流增益（hfe） 35，采用 SOT-563-6 封装。ADTA143XUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms, 10 kOhms、耗散功率（Pd） 330 mW，采用 SOT-323-3 封装。DDC142JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。DDA142JH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。DDC142TU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DCX142JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-363-6 封装。DDTA115TE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDTA142TE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。