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DDTD114TC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTA144VE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTA115GE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 82、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDC142TH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。
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DCX143EH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-563-6 封装。
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DDA144EH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。
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DCX114TH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
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DCX142JH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-563-6 封装。
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DDA143TK-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-26-6 封装。
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DDTA113TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTA142JE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTA123TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTC115TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Small Signal Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTB123EU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 39、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA115GUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 82、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTC125TCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 200 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTA113TUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA115TUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTC143TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTB142TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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