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DDTA124TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTC123EE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTA144GE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTD122JC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 47、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTD123TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTB122JC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 47、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTB143EC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 47、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTA143ZUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA144VUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA114WUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.12、最小直流电流增益（hfe） 24、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDC144NS-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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DDA122TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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DDC122TH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。
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DDTB114EU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTD114EU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA143EE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DCX142TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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DDC142JH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-563-6 封装。
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DDTD114TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA142JU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-323-3 封装。
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