NST65011MW6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVEMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NST65010MW6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 300 mV，采用 SOT-363-6 封装。DXT751Q-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-89-3 封装。NSVT3904DP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NMB2227AF
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，采用 TSOP-6 封装。BC53-16PA-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 U-DFN2020-3 封装。NSVMMBTA05LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。BC56-16PA-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 U-DFN2020-3 封装。NSVBC857BTT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。IGLD60R190D1AUMA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 IGLD60R190D1 SP001705426。NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-363-6 封装。NSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSV60100DMTWTBG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVDTC113EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVDTA113EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PUMH10Z
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。