芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DDTB123YC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。

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DDTA114GE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。

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DDTB133HU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 3.3 kOhms、典型电阻比 0.33、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。

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DDTD113EC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。

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DDTA144TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。

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DDTC143FUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.214、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。

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DDTA142TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。

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DDTC144ELP-7

Diodes Incorporated · 封装：DFN-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-3 封装。

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DDA122TH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。

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DDTB114GC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 0 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA、峰值直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。

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DDTA124GCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。

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DDTA144WE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。

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DDTC122TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。

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DDTA114YE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。

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DDTA122TE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。

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DDTD122TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA、峰值直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。

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DDTC123TUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。

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NSBC123JPDXV6T5G

ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。

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DDA143EH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。

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DDA122LH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。