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PUMB19,115

Nexperia · 封装：TSSOP-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。
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DDTD114GC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 0 kOhms、典型电阻比 0、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTD113EU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTD143TC-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTA144EUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA124XUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA114GUA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTC144GCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDC122TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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DDTA114WE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.12、最小直流电流增益（hfe） 24、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTD142TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA、峰值直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTB143EU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 47、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA122LU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTC142TU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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DDTA144ECA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTA123YCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-23-3 封装。
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DDTC124GCA-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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DCX143TH-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
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DDTC144GE-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。
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DDTB122JU-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 47、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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