PDTD113EUF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PDTB143XUF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMB19,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PDTC123TT,235
Nexperia · 封装：$0.055
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 $0.055 封装。DDA123JK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-26-6 封装。DDA114EH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。DCX122TH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-563-6 封装。DDTA124GE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDA114YK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-26-6 封装。DDC122LU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。DDA114TK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-26-6 封装。PDTB143XTVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTC123JM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。PDTC124XM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 DFN-1006-3 封装。MUN5237T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。PEMB30,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。DDA143TH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。DDA114YH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。DDA142JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。