RN2115MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 50。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 185W BCR BCR185WH6327XT H6327 SP000757894、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR562E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 562 BCR BCR562E6327XT E6327 SP000010859、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR553E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 553 BCR BCR553E6327XT E6327 SP000010854、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR183SH6433XTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 183S BCR H6433 SP000756886、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR 35PN H6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR35PNH6433XT BCR35PNH6433XTMA1 SP000757928。BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 185 BCR BCR185E6327XT E6327 SP000010806、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR148SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 148S BCR BCR148SH6327XT H6327 SP000756262、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR133WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 133W BCR BCR133WH6327XT H6327 SP000756246、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR523E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 523 BCR BCR523E6433XT E6433 SP000010852、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR555E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 555 BCR BCR555E6433XT E6433 SP000010857、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR141SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 141S BCR BCR141SH6327XT H6327 SP000756256、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR116WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 116W BCR BCR116WH6327XT H6327 SP000754072、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR 133S H6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR133SH6433XT BCR133SH6433XTMA1 SP000755082。BCR162E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 162 BCR BCR162E6327XT E6327 SP000010785、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR108WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 108W BCR BCR18WH6327XT H6327 SP000750780、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR 553 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 40、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。DDC123JH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。RN1964FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。