BCR 196 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 148 BCR BCR148E6327XT E6327 SP000010780、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR119SH6433XTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 119S BCR BCR119SH6433XT H6433 SP000755042、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。RN2111MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 400、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-723 封装。BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 555 BCR BCR555E6327XT E6327 SP000010855、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。RN2103MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。BCR116E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 116 BCR BCR116E6433XT E6433 SP000010751、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR523UE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 523U BCR BCR523UE6327XT E6327 SP000013381，采用 SOT-26-6 封装。BCR158E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 158 BCR BCR158E6327XT E6327 SP000010784、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR148E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 148 BCR BCR148E6433XT E6433 SP000426390、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 166 BCR BCR166E6327XT E6327 SP000010788、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR169WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 169W BCR BCR169WH6327XT H6327 SP000756844、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR116SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 116S BCR BCR116SH6327XT H6327 SP000752050、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。RN2113MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 400、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-723 封装。BCR135E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 135 BCR BCR135E6433XT E6433 SP000010767、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR119SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 119S BCR BCR119SH6327XT H6327 SP000754074、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR 523 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。RN2130MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-723 封装。BCR523UE6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 523U BCR BCR523UE6433XT E6433 SP000662374，采用 SOT-26-6 封装。RN1113MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 700、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 VESM-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。