PN5138
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录CMLT2207G TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMLT2207G PBFREE TR，采用 SOT-563 封装。2N3711
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。PMBT2369,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-23-3 封装。MMBT2907ALT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 SOT-23-3 封装。KSA992FBU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 90 mV，采用 TO-92-3 封装。BC556BTA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。CXT2907A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89 封装。2N3790
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-3-2 封装。2N3421
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-39-3 封装。BC461
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、增益带宽积（fT） 50 MHz，采用 TO-39-3 封装。BC441
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、增益带宽积（fT） 50 MHz，采用 TO-39-3 封装。2N5301
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 4 V、最大直流集电极电流 30 A、增益带宽积（fT） 4 MHz，采用 TO-3-2 封装。2N6551
Central Semiconductor · 封装：TO-202-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-202-3 封装。BSW68A
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。CEN-U10
Central Semiconductor · 封装：TO-202-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 45 MHz，采用 TO-202-3 封装。D40K2
Central Semiconductor · 封装：TO-202
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 13 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-202 封装。2N2243A
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-39-3 封装。MJE2801T
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大直流电流增益（hFE） 100、连续集电极电流 10 A、最小直流电流增益（hfe） 25、耗散功率（Pd） 75 W，采用 TO-220-3 封装。2N3108
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。