DTD743EETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTD122JKT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 47、连续集电极电流 500 mA。DTD743ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-3 封装。IMD8AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。EMA11T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA。DTB743XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 VMT-3 封装。IMB4AT110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。IMB5AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA。EMB6T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 30 mA。EMF24T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 180、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。IMB7AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DMC564070R
Panasonic · 封装：SMini6-F3-B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SMini6-F3-B 封装。UMG7NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 UMT-5 封装。FMG5AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。IMD23T108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1, 0.1、最小直流电流增益（hfe） 30, 56。BCR10PNH6727XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 10PN BCR BCR1PNH6727XT H6727 SP000750786、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 142 BCR BCR142E6327XT E6327 SP000010775、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 533 BCR BCR533E6327XT E6327 SP000010853、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。RN1118MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 50。RN1119MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 SOT-723 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。