DTD713ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V，采用 EMT-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTD743ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 VMT-3 封装。IMH5AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA。DTD743XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 VMT-3 封装。IMD1AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。DTA144GKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTB713ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 VMT-3 封装。DTA143XUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 UMT-3F-3 封装。FMC4AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SC-74A-5
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV, - 100 mV、最大工作频率 250 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms, 10 kOhms、典型电阻比 1, 4.7，采用 SC-74A-5 封装。EMF32T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP, N-Channel、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 EMT-6 封装。DTA144VKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.8、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA。DTC144TETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 EMT-3 封装。DTA144WKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：$0.057
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 $0.057 封装。DTC115GKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 82、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTC143XEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 EMT-3F-3 封装。DTA144TKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DTC115GUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 82、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC363EKT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 6.8 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、连续集电极电流 600 mA。DTC124GKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。EMG8T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。