RN2964(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 US-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2961(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 US-6 封装。RN2971(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SM-6 封装。RN1970(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 US-6 封装。RN1961(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 US-6 封装。RN1963(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 US-6 封装。DTA114YUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 UMT-3F-3 封装。DTC323TKT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、连续集电极电流 600 mA。UMB6NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 30 mA。DTA144WETL
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA。DTA114TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 UMT-3F-3 封装。DTC114YUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 UMT-3F-3 封装。DTA143ZUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 UMT-3F-3 封装。DTC124TETL
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DTC114WETL
ROHM Semiconductor · 封装：Details
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 24、连续集电极电流 100 mA，采用 Details 封装。FMC3AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN, PNP、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 SOT-25-5 封装。EMA5T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-5 封装。DTC143EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3 封装。DTC123JE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-523-3 封装。DTC114EEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。