ADTA113ZUAQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ADTA123JCAQ-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADTA123JUAQ-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADTA123JUAQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADTA113ZCAQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADTC113TCAQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADTA123JCAQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADTC113TCAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1906(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。RN1903(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。RN2603(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SM-6 封装。RN2602(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SM-6 封装。RN2607(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。ADTA113ZUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、耗散功率（Pd） 330 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-323-3 封装。RN2965(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 US-6 封装。RN2969(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 ES-6 封装。RN2963(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 US-6 封装。RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 ESV-5 封装。RN2967(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ES-6 封装。RN1968(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 US-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。