RN4987,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2911FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 ES-6 封装。RN2610(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SM-6 封装。RN2906,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。ADC113TUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。RN1971TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。RN4984,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 ES-6 封装。RN1608(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。RN1610(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SM-6 封装。RN4608(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V，采用 SM-6 封装。RN2710JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 ESV-5 封装。RN4910,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。RN4611(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V，采用 SM-6 封装。RN4907,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。RN4607(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。RN2608(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SM-6 封装。RN2601(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SM-6 封装。RN2604(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。RN4610(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SM-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。