RN1110,LF(CT
Toshiba · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-75-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2511(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SMV-5 封装。RN4905,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。ADA123JUQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ADA123JUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、耗散功率（Pd） 270 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363-6 封装。RN1404,LF
Toshiba
该型号为晶体管。RN2709JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 ESV-5 封装。RN2708JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ESV-5 封装。RN1703JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 ESV-5 封装。RN2422TE85LF
Toshiba · 封装：Reel
该型号为晶体管，采用 Reel 封装。RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 ESV-5 封装。RN2707JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ESV-5 封装。RN2705JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ESV-5 封装。RN2704JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ESV-5 封装。ACX115EUQ-13R
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。ACX115EUQ-7R
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ES-6 封装。RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ES-6 封装。ADC113TUQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 ES-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。