RN2117MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 4.7 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-723-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2110,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率（Pd） 100 mW，采用 SOT-416-3 封装。TDTA114Y,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1112MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。RN1118MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。RN2115,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。RN1114MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms, 10 kOhms、典型电阻比 0.1，采用 SOT-723-3 封装。RN2116,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。RN2116MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。RN2132MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。RN2111MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-723-3 封装。RN2112,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率（Pd） 100 mW，采用 SOT-416-3 封装。RN2305,LF
Toshiba
该型号为晶体管。RN1409,LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN1314,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SC-70-3 封装。RN1309,LF
Toshiba · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-323-3 封装。TDTC114Y,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。TDTA124E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1118MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-723-3 封装。RN1111MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。