RN4906FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2905FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-563 封装。RN2910FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率（Pd） 100 mW，采用 SOT-563 封装。RN2902FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-563 封装。RN4982FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。RN4983FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。RN1905FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563 封装。RN4984FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。RN4987FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。RN2904FE,LF
Toshiba · 封装：ES6-6
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 ES6-6 封装。RN4904FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。RN4904,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、类型 PNP/NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 US-6 封装。ADTC143ZCAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。RN1107(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-416-3 封装。RN1118(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-416-3 封装。RN1109(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-416-3 封装。RN1116MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。RN4981FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。RN2115MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms, 10 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-723-3 封装。RN2113MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。