RN2701JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 ESV-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTD543XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 VMT-3 封装。RN4604(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。RN1117(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-416-3 封装。RN2409,LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN1313,LF
Toshiba · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。TDTA143E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1117MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-723-3 封装。RN2310,LF
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SC-70 封装。RN2109MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-723-3 封装。TDTA144E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1104MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管。TDTC143E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN2110MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-723-3 封装。RN1130MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-723-3 封装。RN1117MFV(TL3,T)
Toshiba · 封装：Reel
该型号为晶体管，采用 Reel 封装。RN4910,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、类型 PNP/NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 US-6 封装。RN2911,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-363-6 封装。RN4990FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563 封装。RN2904,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。