NSBA123TF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MUN5238T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-553-5 封装。MUN5141T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN2102,LF(CT
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-70-3 封装。RN2107MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-723-3 封装。TDTC114E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1705JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ESV-5 封装。RN1701JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 ESV-5 封装。NSBA115TF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。ADTA114ECAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。NSBC124XF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN1601(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SM-6 封装。RN2606(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。RN2605(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SM-6 封装。RN4601(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SM-6 封装。RN1511(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SMV-5 封装。RN2507(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SMV-5 封装。TDTA114E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1509(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SMV-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。