RN2702TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-353-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSBA123JF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBA123EF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBC115EPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。MUN5140T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBA143EF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。SMUN5232T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。MUN5136T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。RN2317(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。DCX124EH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-563-6 封装。NSBC144TF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。ADC143ZUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-363-6 封装。ACX143ZUQ-7R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-363-6 封装。RN1115MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 50。NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。MUN5116T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-70-3 封装。MUN5240T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。ACX143ZUQ-13R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。