RN2108MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：Reel
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 Reel 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2316(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。PDTC115TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。MMUN2140LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN2109MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。PEMH17,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.12、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。NSBA143TF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBA144WF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTB113EUF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMH2,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。ADC144EUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-363-6 封装。MUN5134T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。PDTB143ETVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 231 mW，采用 SOT-963 封装。NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN2315TE85LF
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN2318(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。PDTB114ETVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ADC143TUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。MUN5138T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。