PUMF11,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.5、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录RN2401S,LF(D
Toshiba
该型号为晶体管。DTA144TET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DTA115TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTD143XTVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMMUN2116LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBA124XF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBC123EF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBA144TF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN1116MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 50。DDTC122TU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN2302(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。MUN5130T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMUN2236T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 V、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。PDTD143XUF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTB113ZUF
Nexperia · 封装：$0.044
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 $0.044 封装。RN2112MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 400、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-723 封装。RN2119MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 SOT-723 封装。PDTA123TT,215
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 TO-236AB-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。