PDTA123EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTB123EUF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。RN1103MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。PDTD123YUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTA144TM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-723-3 封装。NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN1308(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN1311(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。RN2311(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-70 封装。DTA123TET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSVBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-563-6 封装。NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PQMH11Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBC144WF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSVMUN5131T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。RN2114MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：Reel
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 Reel 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。