RN2132MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 200 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PDTA113EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PBLS1504Y,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTB123EUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTB123YUF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVDTA123EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTA123TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN2117MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30。NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTD123EUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-963-6 封装。PDTD143XUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。MMUN2141LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTB123YUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。RN1301(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN2310(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-70 封装。DTA123ECAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。