RN2131MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 SOT-723 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录DTA113EET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 231 mW，采用 SOT-963 封装。PBLS4001Y,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。RN1910,LF(CT
Toshiba
该型号为晶体管。PDTC124EU,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA115ECAT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTA115ECA。DTA114TCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-23-3 封装。RN1304TE85LF
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMB30,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。RN2309(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN2116MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 50。DTC144WM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。RN1315(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-6 封装。PEMH18,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。PDTD114ETVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。