PEMH19,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTA143ECAT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTA143ECA。DTA124XM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80, 130、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。PBRN113ZT,215
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 700 mA，采用 TO-236AB-3 封装。PBLS2024D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V，采用 TSOP-6 封装。PEMB16,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。NSVMUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-963-6 封装。RN1132MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 200 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 SOT-723 封装。RN1307(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。DTA143TCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTA143TCA，采用 SOT-416-3 封装。PDTA144VU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.76、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTA115TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PIMN31F
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMMUN2137LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PUMB24,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 20 mA，采用 TSSOP-6 封装。RN1117MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30。RN1314(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN2303(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。