SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 47 kOhms、典型电阻比 0.2，采用 SOT-363-6 封装。ADTA144ECAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。DDC144EH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。ADTC124ECAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMB15,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PUMD9,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。DTA124TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：$0.077
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 $0.077 封装。PUMB14,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。PBLS2023D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V，采用 TSOP-6 封装。PEMD2,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作温度范围 - 65 C to + 150 C、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-666-6 封装。UMG6NTR
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TUMT-5 封装。NSVMUN5236T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVDTA123JM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC, 4.9 VDC、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。PDTA143TT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTD123ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 40、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。PEMD48,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms, 2.2 kOhms、典型电阻比 1, 0.05、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。PDTC114TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTD113ZUF
Nexperia · 封装：Buy Min.: 1Mult.: 1 Reel: 3,000
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 Buy Min.: 1Mult.: 1 Reel: 3,000 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。