SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 150、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DTC124XM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SC-88-6 封装。NSVDTC123JM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC, 4.9 VDC、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。DTA143EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。NSVMMUN2135LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ADC143ZUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-363-6 封装。ADTC143ZCAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。MUN5113T3G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。ADTC144WCAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-23-3 封装。MUN5137T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。DDTC144EUAQ-13-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。MUN5234DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。SMMUN2215LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。