RN2103,LF(CT
Toshiba · 封装：SSM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SSM-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN1116,LF(CT
Toshiba · 封装：SSM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SSM-3 封装。RN2113,LF(CT
Toshiba · 封装：SSM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SSM-3 封装。RN2303,LF
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USM-3 封装。RN2411,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN1415,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN1711JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ESV-5 封装。TTA1713-GR,LF
Toshiba · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-3 封装。RN2707,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1706,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1705,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1701,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2909,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN4903,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN2709,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1904FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN4985FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN2108,LF(CT
Toshiba · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-3 封装。RN1108MFV,L3F
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 150 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 VESM-3 封装。RN1303,LF
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USM-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。