RN2710,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录RN2901,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN2708,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN4911,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN2910,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN1908,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN4908,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN4909,LF(CT
Toshiba · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 200 mA、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-6 封装。RN1911,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN2908,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN1909,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN2907,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 US-6 封装。RN4989FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN2906FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN1903FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN4988FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN4901FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN4991FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN1902FE,LF(CT
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 ES-6 封装。RN2104,LF(CT
Toshiba · 封装：SSM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SSM-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。