DTB113ECHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 V、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC043XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 SOT-723-3 封装。RN2425(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN1104MFV,L3F(CT
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 150 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 VESM-3 封装。ACX114EUQ-7R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-363-6 封装。DTA024XEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 SOT-416FL-3 封装。DDA142TH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。PDTB113EUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。RN2106,LF(CT
Toshiba · 封装：SSM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SSM-3 封装。RN2305(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。PDTA144TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DCX100NS-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-563-6 封装。RN1408,LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN1110MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。RN2406,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN1417,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN2416,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN2418,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN1418,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。RN1711,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。