DDTD123YU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC113ZUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。MJB44H11T4-A
STMicroelectronics · 封装：D2PAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.079014 oz，采用 D2PAK-3 封装。LMN200B01-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。PEMH7,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。DTC023YMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 VMT-3 封装。DCX114TU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。SMUN5115DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN1425TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 800 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN2426(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-59-3 封装。DDTA123TCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTB123TKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 500 mA，采用 SC-59-3 封装。RN2962(TE85L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 US-6 封装。DTA114EMFHAT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-416-3 封装。DTC043XUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 SOT-323FL-3 封装。PBRP113ZT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 190、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V，采用 SOT-23-3 封装。DDC143EH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。NSVDTA114YM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。LMN400B01-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。