BCR135WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 135W BCR BCR135WH6327XT H6327 SP000756252、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCR 10PN H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-363-6 封装。BCR 573 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 523 BCR BCR523E6327XT E6327 SP000010851、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR135SH6327XT
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、型号别名 135S BCR BCR135SH6327XTSA1 H6327 SP000756248。BCR 169 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。BCR 198S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR198SH6327XT BCR198SH6327XTSA1 SP000757904。BCR 142W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR142WH6327XT BCR142WH6327XTSA1 SP000756260、单件重量 0.000208 oz。BCR 192W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR192WH6327XT BCR192WH6327XTSA1 SP000757898。BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 183 BCR BCR183E6327XT E6327 SP000010794、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 135S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、型号别名 BCR135SH6327XT BCR135SH6327XTSA1 SP000756248、单件重量 0.000208 oz。BCR08PNH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 08PN BCR BCR8PNH6327XT H6327 SP000750766、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR 148 E6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR148E6433HTMA1 BCR148E6433XT SP000426390。DTC124ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。DTA124EE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。DTC144ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。UMH2N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、典型输入电阻 61.1 kOhms、典型电阻比 1.2、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 150 mW、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363 封装。DTA143ZE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。DTA144EE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。DTC114TE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。