BCR133SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 133S BCR BCR133SH6327XT H6327 SP000755050、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCR 183 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 112W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR112WH6327XT BCR112WH6327XTSA1 SP000750790、单件重量 0.000208 oz。BCR 191 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 521 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 142 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 523U E6327
Infineon Technologies · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74-6 封装。BCR 183W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR183WH6327XT BCR183WH6327XTSA1 SP000757002、单件重量 0.000208 oz。BCR 555 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 141W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR141WH6327XT BCR141WH6327XTSA1 SP000756258。BCR 555 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 108W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323 封装。BCR22PNH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 22PN BCR BCR22PNH6327XT H6327 SP000757916、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR10PNH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 10PN BCR BCR1PNH6327XT H6327 SP000750782、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR 135W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323 封装。BCR 191W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR191WH6327XT BCR191WH6327XTSA1 SP000757896、单件重量 0.000208 oz。BCR 166 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 129 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。BCR 198 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 116 BCR BCR116E6327XT E6327 SP000010749、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。