BCR 116W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR116WH6327XT BCR116WH6327XTSA1 SP000754072、单件重量 0.000210 oz。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BCR 08PN H6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR08PNH6433XTMA1 BCR8PNH6433XT SP000750770。BCR 22PN H6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR22PNH6433XT BCR22PNH6433XTMA1 SP000757920。BCR 133W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323 封装。BCR 198W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR198WH6327XT BCR198WH6327XTSA1 SP000757912、单件重量 0.000208 oz。BCR148WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 148W BCR BCR148WH6327XT H6327 SP000756268、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 503 BCR BCR53E6327XT E6327 SP000010839、单件重量 0.001199 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 158W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR158WH6327XT BCR158WH6327XTSA1 SP000750762、单件重量 0.000208 oz。BCR 08PN H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。BCR 148W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323 封装。BCR141WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 141W BCR BCR141WH6327XT H6327 SP000756258、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BCR 185W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323 封装。BCR 503 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 40、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 10PN H6727
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR10PNH6727XTSA1 BCR1PNH6727XT SP000750786。BCR 148S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR148SH6327XT BCR148SH6327XTSA1 SP000756262、单件重量 0.000210 oz。BCR 183S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR183SH6327XT BCR183SH6327XTSA1 SP000756882、单件重量 0.000222 oz。BCR185SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 185S BCR BCR185SH6327XT H6327 SP000757888、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR 562 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 512 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 198 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。