BCR 183 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCR 108 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 148 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DTC124TKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTC144EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3F-3 封装。DTA124XUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 UMT-3 封装。DTC144VUAT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.8、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA。DTC144VKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。DTA124TKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。EMA2T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA。DTC114GUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA143EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。DTC144TKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DTA143TUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 UMT-3 封装。DTA124EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3 封装。DTC123TKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。BCR 523 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR135SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、型号别名 135S BCR BCR135SH6327XT H6327 SP000756248、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、型号别名 133 BCR BCR133E6327XT E6327 SP000010757、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 133 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。