UMH6NTR
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TUMT-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC114EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-3 封装。DTC143TUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。FMG8AT148
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 TSMT-5 封装。DTC114EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3 封装。DTA123EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 UMT-3 封装。DTC123JEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3 封装。DTA124EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 - 30 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC143EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3 封装。BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 135 BCR BCR135E6327XT E6327 SP000010765、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 135 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、型号别名 108 BCR BCR18E6327XT E6327 SP000010736、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 116 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 108S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR108SH6327XTSA1 BCR18SH6327XT SP000750774、单件重量 0.000210 oz。BCR 133S H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363 封装。BCR 22PN H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。BCR 141S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR141SH6327XT BCR141SH6327XTSA1 SP000756256、单件重量 0.000222 oz。BCR 112 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 135 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR108E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 108 BCR BCR18E6433XT E6433 SP000010737、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。