IMB9AT110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTB143TKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、连续集电极电流 - 500 mA，采用 SC-59-3 封装。UMC3NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30。DTC114ECAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SST-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SST-3 封装。DTA114EEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3 封装。DTC114TUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA123JUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC143ZUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC114YUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.2、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 70 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC113ZUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-3 封装。DTC124EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 30 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC123EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。UMC5NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.47、最小直流电流增益（hfe） 68。DTC143EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA114EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 50 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA143EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA114YUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 - 70 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC123JUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA143ZUAT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V。DTC144EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 30 mA，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。