PUMB11,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN1907,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DTC124EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN1312(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。PDTC114YQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。DDTA114WCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 24，采用 SOT-23-3 封装。DDTC124XCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。DTA043XEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 SOT-416FL-3 封装。DCX115EK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SC-74R-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms, 100 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-74R-6 封装。RN1504(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SMV-5 封装。RN1907FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563 封装。RN4605(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms，采用 SM-6 封装。RN1426TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 800 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1605TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-26-6 封装。RN4603(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-26-6 封装。NSBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。RN1903,LF(CT
Toshiba
该型号为晶体管。RN1503(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SMV-5 封装。DDTC115EE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 82、连续集电极电流 20 mA，采用 SOT-523-3 封装。DTA124EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。