DCX143TK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SC-74R-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74R-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。RN1702JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 ESV-5 封装。RN2506(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-25-5 封装。NSBA114TDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 0.1 A，采用 SOT-563-6 封装。RN1105,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。RN1318(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。RN4606(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-26-6 封装。DDA124EH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。DDTC113TUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DDTA143FUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN1107,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。DTA143ZMFHAT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。RN1115,LF(CT
Toshiba · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-75-3 封装。DDTC144WCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。NSBC143TDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-563-6 封装。RN1305,LF
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-70 封装。RN1405,LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000423 oz。ADTA143XUAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms, 10 kOhms、耗散功率（Pd） 330 mW，采用 SOT-323-3 封装。PBLS4004Y,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。