PBLS4005D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2402,LF
Toshiba
该型号为晶体管。ADTA144EUAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DDTC123EUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN2427TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 90，采用 SOT-346-3 封装。SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。RN1902,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DDC114YH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。ACX114EUQ-13R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-363-6 封装。DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。RN2312(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-70 封装。RN2412TE85LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。DDTC124TEQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DDTA123YUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTC114GUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DCX114EU-13R-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。DDTA114TUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTA113TCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DDTB142JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDC144TH-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-563-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。